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      蓋革模式InGaAs 雪崩光電二極管
      發布時間:2019-04-29 15:00:57 點擊瀏覽:


      InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是單光子檢測的專用器件,是量子通信設備中單光子檢測的核心器件。該產品由我司與CETC研究所聯合研制,打破以往該類器件對進口的依賴,且具有優秀的設計理念與工藝水平,可滿足量子信息領域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求。

      正常工作時該器件的反向工作電壓大于二極管反向擊穿電壓(即“蓋革模式”),此時當單光子入射到APD管的光接收區時,APD管會產生雪崩脈沖電流。通過脈沖檢測電路把脈沖電流信號轉換為標準數據信號,實現對單光子探測功能。該器件的光譜響應范圍是950~1650nm。



      關鍵特性

      ·單光子檢測

      ·蓋革模式工作

      ·高響應度

      ·高探測效率

      ·超低噪聲

      ·尾纖封裝

      ·安裝方便


      典型應用

      ·量子通信

      ·熒光檢測

      ·3D成像

      ·激光測距

      ·環境檢測

      ·時間相關計數等












      線性模式參數(室溫295K,所有電壓和電流采用默認值)
      響應度
      8-11.0A/W
      反向擊穿電壓
      60-80v
      蓋革模式參數
      光子探測效率
      10%-20%





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